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BSZ165N04NS G 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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BSZ165N04NS G詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 40V 31A TSDSON-8
系列：OptiMOS™
制造商：Infineon Technologies
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444：40V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：31A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16.5 毫歐 @ 20A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 10µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：840pF @ 20V
功率_最大：25W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-TSDSON
供應(yīng)商設(shè)備封裝：-
包裝：剪切帶 (CT)

BSZ165N04NS G詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 40V 31A TSDSON-8
系列：OptiMOS™
制造商：Infineon Technologies
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444：40V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：31A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16.5 毫歐 @ 20A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 10µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：840pF @ 20V
功率_最大：25W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-TSDSON
供應(yīng)商設(shè)備封裝：-
包裝：帶卷 (TR)

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